Ta$_2$NiSe$_5$ 单层的电子与光学性质：第一性原理研究
材料科学
2024-12-20 v1
摘要
使用第一性原理计算结合玻希-萨尔贝方程，研究了 TaNiSe 单层的晶体结构、稳定性、电子和光学性质。结果表明，可直接从低温单斜相剥离出 TaNiSe 单层。该单层稳定且表现为正常的窄带隧道半导体，既不存在自发性激子，也不存在非平凡拓扑。尽管准粒子和光学带隙仅分别为 266 和 200 meV，但其光学活性激子结合能最高可达 66 meV，能够在室温下存在。这使其在红外光电探测中具有重要价值，尤其是其固有的平面各向异性增强了偏振感知的价值。还发现，必须在理论上包含自旋轨道耦合，才能充分阐明单层的光学和激子性质。
引用
@article{arxiv.2412.14582,
title = {Electronic and Optical Properties of Ta$_2$NiSe$_5$ Monolayer: A First-principles Study},
author = {Miaomiao Guo and Yuanchang Li},
journal= {arXiv preprint arXiv:2412.14582},
year = {2024}
}