单层1T-TaSe2的原子结构与电子关联
材料科学
2020-08-14 v1
摘要
我们利用密度泛函理论计算研究了单层1T-TaSe2的原子与电子结构。单层1T-TaSe2最近在石墨烯衬底上生长出来，并被提出为一种引人注目的莫特绝缘体[Nat. Phys. 16, 218 (2020)]。然而，对于模型体系1T-TaS2的主流结构模型——具有强电子关联的戴维星形状阳离子中心团簇——无法解释扫描隧穿谱实验中观测到的特征性反常轨道分裂。我们提出了一种替代结构模型，即阴离子中心团簇结构，它能在无电子关联的情况下，借助来自衬底的电子掺杂重现大部分反常谱学特征。因此，观测到的反常谱学特征似乎表明了一种简单而寻常的能带绝缘态。本工作指出了对于团簇莫特绝缘体所赋予的大结构自由度的重要性。
引用
@article{arxiv.2008.05702,
title = {Atomic structures and electronic correlation of monolayer 1T-TaSe2},
author = {Jae Whan Park and Han Woong Yeom},
journal= {arXiv preprint arXiv:2008.05702},
year = {2020}
}
备注
4 page, 3 figures