单层 VTe2：非公度费米面嵌套与电荷密度波的抑制
材料科学
2019-07-24 v1
摘要
我们利用角分辨光电子能谱（ARPES）研究了生长在双层石墨烯上的单层 VTe2 的电子结构。我们发现单层 VTe2 采取八面体 1T 结构，不同于块体中的单斜结构，这由 ARPES 结果与八面体单层 1T-VTe2 第一性原理能带计算在费米面拓扑上的一致性所证实。我们揭示出低温下的单层 1T-VTe2 呈现金属态，而其嵌套条件优于同结构的单层 VSe2——后者在低温下经历 CDW 转变成为绝缘体。本结果表明费米面拓扑对于表征单层 TMDs 的 CDW 性质具有重要意义。
引用
@article{arxiv.1906.07855,
title = {Monolayer VTe2: Incommensurate Fermi surface nesting and suppression of charge density waves},
author = {Katsuaki Sugawara and Yuki Nakata and Kazuki Fujii and Kosuke Nakayama and Seigo Souma and Takashi Takahashi and Takafumi Sato},
journal= {arXiv preprint arXiv:1906.07855},
year = {2019}
}