1$T$ 型 TaTe$_2$ 单层丰富的结构、电子与键合图景
材料科学
2025-02-25 v1
摘要
单层 1-MTe（M= Nb, Ta）中的电荷密度波（CDW）近来引起广泛关注，因其与硫化物和硒化物类比物表现出截然不同的结构与物理行为。本文报道了十四种不同 1 型 TaTe 单层的第一性原理研究。强调了 Te 向 Ta 电子转移和多中心金属-金属键合在稳定不同结构调制中的重要性。通过分析优化结构的电子结构，阐明了 1-TaTe 与相关二硫化物和二硒化物的区别、1 型 TaTe 单层更稳定的结构调制、费米面嵌套对某些 CDW 不稳定性的可能作用、CDW 如何影响未畸变晶格的金属性，以及这些 CDW 相中部分可能表现出的奇异性质。所有研究的 CDW 相均表现出典型金属系统的能带结构，尽管部分同时在费米能级具有极平坦和色散性能带，从而可能发展 Mott 效应；所研究的一个 (44) 相在费米能级展现出狄拉克锥。
引用
@article{arxiv.2411.08946,
title = {The rich structural, electronic and bonding landscape of 1$T$-type TaTe$_2$ single-layers},
author = {Jose Angel Silva-Guillén and Enric Canadell},
journal= {arXiv preprint arXiv:2411.08946},
year = {2025}
}