Ta-Ta 与 Te-Te 成键竞争导致 TaTe4 中的公度电荷密度波
材料科学
2022-03-14 v1
摘要
基于平均结构的费米面、电子-空穴响应函数、声子能带结构以及调制相结构优化的第一性原理 DFT 分析，讨论了 TaTe 中电荷密度波的起源。对平均结构的能带结构与费米面的分析清楚证明，尽管晶体结构中存在 TaTe 链，但就费米能级附近的电子结构而言，TaTe 实际上是一种三维材料。费米面嵌套机制被排除作为 2 结构调制的起源。优化得到的 2\times2\times3 结构（与实验观测一致，被发现是更稳定的调制）可直接由对未畸变结构计算得到的软声子模获得。我们的结果表明，畸变的驱动力是在 Te 子晶格中诱导最小成键减少的前提下最大化 Ta-Ta 金属-金属成键。
引用
@article{arxiv.2111.10828,
title = {Competition between Ta-Ta and Te-Te bonding leading to the commensurate charge density wave in TaTe4},
author = {Bogdan Guster and Miguel Pruneda and Pablo Ordejón and Enric Canadell},
journal= {arXiv preprint arXiv:2111.10828},
year = {2022}
}