$2H$-NbSe$_2$ 单层在 CDW 态下的电子结构
材料科学
2016-10-05 v1
摘要
本文报道了关于 NbSe 单层在正常非调制态和 CDW 态下的密度泛函理论研究。我们表明，在单层中，CDW 几乎不影响系统的费米面，从而排除了嵌套机制作为调制驱动力的可能。CDW 稳定了位于费米能级下方约 1.5 eV 处、属于 Se 基价带但具有显著 Nb-Nb 成键特征的能级。层间相互作用的缺失导致块体费米面中煎饼状部分在单层中被抑制。我们进行了扫描隧道显微镜模拟，发现图像随偏置电压的符号和大小发生明显变化。调制引起的 Se 子层原子波纹在这些图像形成中起主要作用，但电子重排也有重要贡献。对这些图像随偏置电压变化的分析不支持 CDW 的费米面嵌套机制。研究还表明，底层石墨烯层（在近期一些实验工作中存在）不改变导带，但确实影响 NbSe 单层的价带形状。讨论了这些结果对于理解近期 NbSe 单层物理测量的意义。
引用
@article{arxiv.1603.09072,
title = {Electronic structure of $2H$-NbSe$_2$ single-layers in the CDW state},
author = {J. A. Silva-Guillén and P. Ordejón and F. Guinea and E. Canadell},
journal= {arXiv preprint arXiv:1603.09072},
year = {2016}
}