费米面盘踏与 NbSe$_2$ 电荷密度波的起源
材料科学
2009-11-11 v2
摘要
我们使用高精度的密度泛函计算方法来研究 NbSe2 的能带结构和费米面。我们计算非相互作用响应函数的实部 Re chi_0(q)，即电荷密度波 (CDW) 不稳定性的相关量；以及虚部 Im chi_0(q)，直接显示费米面 (FS) 盘踏现象。我们指出，Re chi_0(q) 在 CDW 波矢附近存在非常弱的峰，但在 Im chi_0(q) 中则没有此类峰，从而明确排除了费米面盘踏作为 CDW 形成因素。由于 Re chi_0(q) 的峰较宽且较浅，几乎不太可能是 CDW 不稳定性的直接原因。我们简要讨论了电子-电子相互作用（局部场效应）如何在总（再生加强）响应函数中产生额外结构，以及电子-离子矩阵元的作用。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0510390,
title = {Fermi Surface Nesting and the Origin of the Charge Density Wave in NbSe$_2$},
author = {M. D. Johannes and I. I. Mazin and C. A. Howells},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0510390},
year = {2009}
}
备注
Replacement of Table II values, minor changes to text