几种过渡金属二硫族化合物中的费米面嵌套
强关联电子
2008-12-24 v1 超导电性
摘要
利用高分辨率角分辨光电子能谱（ARPES），我们研究了 2H 型过渡金属二硫族化合物多型体 TaSe2、NbSe2 和 Cu0.2NbS2 的费米学。从这三种化合物的 ARPES 谱中提取的电子结构紧束缚模型被用于计算 Lindhard 函数（裸自旋磁化率），该函数反映了在 TaSe2 和 NbSe2 中观察到的电荷密度波（CDW）不稳定性倾向。我们表明，尽管所有三种化合物的费米面都在 CDW 波矢量附近拥有一个非公度嵌套矢量，但嵌套矢量与有序化波矢量并不完全重合，且嵌套矢量处的磁化率大小与 CDW 转变温度之间没有直接关系。尽管在该温度范围内费米面几何形状存在可观测的变化，但在 TaSe2 中，嵌套矢量作为温度的函数贯穿了非公度 CDW 转变。在 Cu0.2NbS2 中，尽管掺杂水平不同，嵌套矢量依然存在，这使我们预期在 CuxNbS2 材料家族中，Cu 插层可能会增强 CDW 不稳定性。
引用
@article{arxiv.0805.4105,
title = {Fermi surface nesting in several transition metal dichalcogenides},
author = {D. S. Inosov and V. B. Zabolotnyy and D. V. Evtushinsky and A. A. Kordyuk and B. Buechner and R. Follath and H. Berger and S. V. Borisenko},
journal= {arXiv preprint arXiv:0805.4105},
year = {2008}
}
备注
Accepted to New J. Phys