超导拓扑绝缘体 Nbx-Bi2Se3 中的电荷密度波序
超导电性
2023-02-13 v1
摘要
Bi 基拓扑材料基态中的自发对称性破缺可导向有前景的拓扑超导体,如 Cu-Bi2Se3、Sr-Bi2Se3 和 Nb-Bi2Se3。在近期研究中,Nb-Bi2Se3 中发现了多重费米面特征与超导的共存。然而,由此产生的多重费米面——电荷密度波尚未经实验报道。本文中,我们报道了 Nb 插层 Bi2Se3 中电荷密度波(CDW)基态与超导(SC)基态共存的可能证据。插层诱导的周期晶格畸变似乎有助于稳定 CDW 态,可能辅助一维链的形成,并为这一引人入胜的体系带来电子与声子各向异性。
引用
@article{arxiv.2302.05227,
title = {Charge Density Wave Order in Superconducting Topological Insulator Nbx-Bi2Se3},
author = {Yanan Li and Christian Parsons and Sanath Ramakrishna and Anand Dwivedi and Nelson William and Ryan Baumbach and Marvin Schofield1 and Arneil Reyes and Prasenjit Guptasarma},
journal= {arXiv preprint arXiv:2302.05227},
year = {2023}
}