单层与双层 SnSe$_2$ 中的电荷密度波与费米能级钉扎
材料科学
2021-02-17 v1 超导电性
摘要
维度降低的材料常表现出不同于块体对应物的异常性质。此处我们借助扫描隧道显微镜报道了单层与双层 SnSe 薄膜中公度 2 2 电荷密度波（CDW）的出现。CDW 相的可视化空间调制在费米能级附近变得显著，而费米能级被钉扎在 SnSe 的半导体带隙内。我们表明 CDW 与费米能级钉扎均与半导体异质界面处的能带弯曲及虚拟诱导隙态密切相关。通过界面工程，在 SnSe 中建立了电子密度依赖的相图。揭示了对称不等价电子袋之间的费米面嵌套驱动了 CDW 形成，并提供了一种可能在其他化合物中成立的替代 CDW 机制。
引用
@article{arxiv.2102.07913,
title = {Charge density waves and Fermi level pinning in monolayer and bilayer SnSe$_2$},
author = {Shu-Ze Wang and Yi-Min Zhang and Jia-Qi Fan and Ming-Qiang Ren and Can-Li Song and Xu-Cun Ma and Qi-Kun Xue},
journal= {arXiv preprint arXiv:2102.07913},
year = {2021}
}
备注
5 pages, 5 figures