单层 VSe$_2$ 中具有不同驱动机制的共存电荷有序态
强关联电子
2021-12-24 v2
摘要
将晶体材料减薄至二维（2D）为电子相（包括电荷、自旋、超导和拓扑序）提供了一个丰富的平台。承载电荷密度波（CDW）的块体材料在减薄为超薄膜时，已显示出 CDW 的增强与可调性。然而，仅局限于二维的电荷序仍难以捉摸。在此，我们报道了在 -VSe 的单层极限中出现的一种独特电荷有序态。系统的扫描隧道显微镜实验揭示，双层 VSe 在很大程度上保留了块体电子结构，承载着一个三方向 CDW。然而，单层 VSe——在不同衬底上均一致地——表现出维度交叉，承载两个具有不同波长和转变温度的 CDW。电子结构计算表明，其中一个 CDW 是类块体的，源于众所周知的 Peierls 机制，而另一个则明显是非传统的。观测到的 CDW-晶格解耦以及平带的出现表明，新的 CDW 可能源于二维极限中增强的电子-电子相互作用。这些发现确立了单层 VSe 作为具有不同起源的共存电荷序的载体，并使得能够通过二维材料中涌现的相互作用来定制电子现象。
引用
@article{arxiv.2104.12420,
title = {Coexisting charge-ordered states with distinct driving mechanisms in monolayer VSe$_2$},
author = {Rebekah Chua and Jans Henke and Surabhi Saha and Yuli Huang and Jian Gou and Xiaoyue He and Tanmoy Das and Jasper van Wezel and Anjan Soumyanarayanan and Andrew T. S. Wee},
journal= {arXiv preprint arXiv:2104.12420},
year = {2021}
}
备注
8 pages, 5 figures