层状半导体中相互作用电荷密度波的共存
强关联电子
2024-05-28 v1 材料科学
摘要
共存序是强关联材料的关键特征，也是从非常规超导到拓扑序等许多有趣现象的基础。在此，我们报道了EuTe4中两种相互作用的电荷密度波(CDW)序的共存。EuTe4是一种层状晶体，因其异常的热滞现象以及尽管缺乏完美的费米面嵌套却仍存在半导体CDW态而备受关注。通过时间分辨和角分辨光发射测量探测未占据的导带，我们发现单胞中的Te单层和双层承载着不同的CDW，这些CDW与不同的能隙相关联。两个能隙在光激发后表现出截然不同的演化：较大的双层CDW能隙显示出较小的重整化和更快的恢复。令人惊讶的是，Te单层中的CDW表现出额外的动量依赖的能隙重整化，而密度泛函理论计算无法捕捉到这一现象。该现象归因于两个CDW序之间的层间相互作用，这解释了平衡态的半导体性质。我们的发现不仅为EuTe4的关联基态提供了微观见解，也为理解复杂系统中共存的、依赖于层的序提供了一种通用的非平衡方法。
引用
@article{arxiv.2404.09182,
title = {Coexistence of interacting charge density waves in a layered semiconductor},
author = {B. Q. Lv and Alfred Zong and Dong Wu and Zhengwei Nie and Yifan Su and Dongsung Choi and Batyr Ilyas and Bryan T. Fichera and Jiarui Li and Edoardo Baldini and Masataka Mogi and Y. -B. Huang and Hoi Chun Po and Sheng Meng and Yao Wang and N. L. Wang and Nuh Gedik},
journal= {arXiv preprint arXiv:2404.09182},
year = {2024}
}
备注
To appear in PRL