具有方形碲片中层状电荷密度波序的层状半导体 EuTe4
强关联电子
2019-02-13 v1 材料科学
摘要
我们报道了一种承载电荷密度波(CDW)不稳定性的新型准二维化合物 EuTe4。该化合物具有正交空间群 Pmmn (No.59) 的晶体结构,室温下晶胞参数为 a = 4.6347(2)Å, b = 4.5119(2)Å, c = 15.6747(10)Å。其原始结构包含连续的近方形 Te 片,由波纹状 Eu-Te 板层分隔。降温时,该化合物在 255 K 附近经历相变。X 射线晶体学分析和透射电子显微镜(TEM)测量揭示了低温相中的强结构畸变,显示出在单层 Te 片中周期性形成 Te 三聚体的超结构,为 CDW 序的形成提供了证据。电荷输运性质显示 CDW 态下半导体行为。密度泛函理论计算揭示了一种费米面嵌套驱动的不稳定性,其嵌套矢量与实验观测值吻合良好。我们的发现为研究 CDW 驱动的二维半导体机制提供了一个有前景的体系,这将为探索具有集体电子态的新型二维半导体带来新启示。
引用
@article{arxiv.1901.06061,
title = {Layered semiconductor EuTe 4 with charge density wave order in square tellurium sheets},
author = {D. Wu and Q. M. Liu and S. L. Chen and G. Y. Zhong and J. Su and L. Y. Shi and L. Tong and G. Xu and P. Gao and y and N. L. Wang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1901.06061},
year = {2019}
}
备注
8 pages,4 figs