二维 VSe2 与 Pt 的合金化：从电荷密度波态到无序绝缘体
材料科学
2022-09-14 v1
摘要
我们利用扫描隧道显微镜和谱学分析了通过分子束外延在 epitaxial graphene（外延石墨烯）衬底上生长的 1T-VxPt1-xSe2 合金单层的原子与电子结构。我们聚焦于最近已证实具有铁磁行为的组分范围（0.1<x<0.35）。对于低 Pt 浓度（x=0.07 和 x=0.21），在大部分样品表面仍可见表现出原始 VSe2 单层电荷密度波（CDW）态特征超结构的小畴（直径几纳米）。因此合金化保留了 CDW 相的短程有序，尽管破坏了其长程有序。对于较高 Pt 浓度（x=0.35）形成无序合金。其在费米能级处呈现完全打开的能隙（宽度几十 meV），从而是一种无序绝缘体。该能隙在纳米尺度上表现出强烈变化，反映了组分的局域涨落。对于该组分范围，TMD（过渡金属硫族化合物）层与石墨烯衬底之间出现了出乎意料的大相互作用。
引用
@article{arxiv.2207.04755,
title = {Alloying 2D VSe2 with Pt: from a charge density wave state to a disordered insulator},
author = {E. Velez-Fort and P. Mallet and H. Boukari and A. Marty and C. Vergnaud and F. Bonell and M. Jamet and J-Y. Veuillen},
journal= {arXiv preprint arXiv:2207.04755},
year = {2022}
}