分子束外延生长的单层VTe2中金属性1T相、3d1电子构型与电荷密度波序的证据
材料科学
2019-11-11 v1
摘要
我们呈现了通过分子束外延在高度取向热解石墨上生长的单层VTe2的实验与理论联合研究。利用多种原位显微与谱学技术，包括扫描隧道显微镜/谱学、同步辐射X射线与角分辨光电子能谱、X射线吸收，并结合密度泛函理论计算的理论分析，我们展示了单层VTe2中金属性1T相与3d1电子构型的直接证据，该材料在低温下还呈现(4 x 4)电荷密度波序。与先前的理论预测相反，我们基于X射线磁圆二色性的元素特异性表征排除了单层本征的铁磁序。我们的发现为理解这一新兴范德瓦耳斯磁体家族中有趣却少被探索的金属性单层提供了必要的基础知识。
引用
@article{arxiv.1907.06185,
title = {Evidence for metallic 1T phase, 3d1 electronic configuration and charge density wave order in molecular-beam epitaxy grown monolayer VTe2},
author = {Ping Kwan Johnny Wong and Wen Zhang and Jun Zhou and Fabio Bussolotti and Xinmao Yin and Lei Zhang and Alpha T. NDiaye and Simon A Morton and Wei Chen and Kuan Eng Johnson Goh and Michel P de Jong and Yuan Ping Feng and Andrew Thye Shen Wee},
journal= {arXiv preprint arXiv:1907.06185},
year = {2019}
}
备注
21 pages, 5 figures