通过分子束外延在高度取向热解石墨上生长的β-碲烯超薄层
材料科学
2017-04-26 v1
摘要
最近的理论提出，单层碲（Te）或碲烯是一种具有极佳电子和光电子前景的新型二维（2D）体系。本文中，我们展示了通过分子束外延在高度取向热解石墨（HOPG）衬底上沉积外延Te的实验研究。对超薄Te层的扫描隧道显微镜揭示出矩形表面晶胞，其晶胞尺寸与理论预测的β-碲烯一致，而对于较厚薄膜，晶胞尺寸更符合块体Te晶体的(10-10)表面。扫描隧道谱测量表明，这些薄膜为半导体，其能带隙随膜厚增加而减小，且带隙收窄主要发生在价带顶（VBM）。后者可通过密度泛函理论计算所揭示的VBM处态的强耦合但导带底（CBM）处弱耦合来理解。
引用
@article{arxiv.1704.07529,
title = {Ultrathin layers of beta-tellurene grown on highly oriented pyrolytic graphite by molecular-beam epitaxy},
author = {Jinglei Chen and Yawei Dai and Yaqiang Ma and Xianqi Dai and Wingkin Ho and Maohai Xie},
journal= {arXiv preprint arXiv:1704.07529},
year = {2017}
}
备注
7 pages, 4 figures