分子束外延在石墨上范德瓦耳斯外延生长二维单层 h-BN：电子性质与能带结构
材料科学
2018-06-20 v1
摘要
我们报道了通过分子束外延（MBE）在石墨上可控生长 h-BN/石墨。X 射线光电子能谱（XPS）表明界面无反应或混合，而角分辨光电子能谱（ARPES）测量显示 h-BN 层与石墨外延对齐。ARPES 测量揭示了明确的能带结构，反映出 h-BN 薄膜的高品质。测得的价带顶（VBM）位于费米能级下方 2.8 eV 处，表明存在未掺杂的 h-BN 薄膜（带隙约 6 eV）。这些结果表明，尽管 h-BN 与石墨之间仅存在弱范德瓦耳斯相互作用，但通过范德瓦耳斯外延仍可在甚至多晶石墨上获得 h-BN 的长程有序，为大面积单层 h-BN 提供了前景。
引用
@article{arxiv.1806.07105,
title = {Van der Waals epitaxy of two-dimensional single-layer h-BN on graphite by molecular beam epitaxy: Electronic properties and band structure},
author = {Debora Pierucci and Jihene Zribi and Hugo Henck and Julien Chaste and Mathieu G. Silly and François Bertran and Patrick Le Fevre and Bernard Gil and Alex Summerfield and Peter H. Beton and Sergei V. Novikov and Guillaume Cassabois and Julien E. Rault and Abdelkarim Ouerghi},
journal= {arXiv preprint arXiv:1806.07105},
year = {2018}
}
备注
9 pages, 4 figures SI 5 pages 2 figures