基于 MBE 在悬空单层石墨烯膜上的范德瓦耳斯外延

过去二十年来，二维材料研究已扩展成为当今凝聚态研究的核心主题。利用机械方法对这些材料进行合成与重新组装，构建出具有新颖特性和日益增长潜在应用的海量杂化结构，已取得重大进展。实现这一潜力的关键障碍在于控制这些层状杂化材料原子结构的挑战，以及利用现有半导体纳米加工技术驾驭其独特功能的困难。在此，我们报道了在不同机械支撑上转移的悬空单层石墨烯上，层状拓扑绝缘体的高质量范德瓦耳斯外延生长与表征。这种模板化合成方法能够直接探察这些原位生长杂化结构的界面原子结构，并为利用更传统的半导体纳米加工技术创建器件结构开辟了途径。