二维层状过渡金属硫族化合物的外延生长
材料科学
2019-09-10 v1
摘要
过渡金属硫族化合物（TMD）单层与异质结构已成为一类引人注目的材料，其变革性新科学有望用于新型器件技术。这些材料通常通过从块体晶体剥离薄片来制备，但推进该领域需要晶圆级单晶薄膜的外延生长。本文综述了针对 TMD 薄膜的范德华键合晶体外延生长的基本方面。首先描述了 TMD 晶体的结构与电子性质，以及用于气相沉积的源与方法。对 TMD 外延特有的问题进行了批判性综述，包括衬底性质以及薄膜-衬底取向与键合。讨论了不同衬底类型上 TMD 外延的现状以及大面积外延薄膜的表征技术。提出了未来方向，包括衬底发展、原位与全晶圆表征技术以及异质结构生长。
引用
@article{arxiv.1909.03502,
title = {Epitaxial Growth of 2D Layered Transition Metal Dichalcogenides},
author = {Tanushree H. Choudhury and Xiaotian Zhang and Zakaria Y. Al Balushi and Mikhail Chubarov and Joan M. Redwing},
journal= {arXiv preprint arXiv:1909.03502},
year = {2019}
}
备注
36 pages, 7 figures