二维过渡金属硫族化合物中的横向异质结构与一维界面

二维（2D）材料的生长和剥离导致了具有不同组成或相的晶体交界处出现边缘和新型界面态。这些混合异质结构（HSs）可构建为垂直的范德华\emph{堆叠}，形成二维界面，或构建为\emph{缝合}的相邻单层晶体，形成一维（1D）界面。尽管多数关注集中于垂直HSs，但对一维界面的理论与实验兴趣正日益增加。不同二维材料间的面内界面态继承了两种晶体的性质，产生了具有独特一维非抛物色散和强自旋轨道效应的稳健态。凭借这些独特特征，这些态为实现一维物理提供了令人振奋的平台。在此，我们回顾并讨论一维异质结的进展，重点阐述描述半导体过渡金属硫族化合物$MX_{2}$（其中$M$=Mo、W，$X$= S、Se、Te）之间异质结的理论方法，以及界面态如何被表征和利用。我们还探讨了由于晶格参数跨界面差异，界面如何依赖于边缘几何（如锯齿形和扶手椅形）或应变，以及这些特征如何影响激子/光学响应。本综述旨在作为推动这一快速发展领域理论与实验研究的参考资料。