用于在大面积 SiO2/Si 上生长锰掺杂 MoSe2 少层的范德瓦耳斯固相外延
材料科学
2020-11-26 v1
摘要
大面积连续过渡金属硫族化合物（TMDCs）层的生长是将其优异的电学与光学性质转化为实际器件的先决条件，至今仍是一个未解决的问题。对 TMDC 层进行电学与磁性掺杂以开发诸如 p-n 结或用于自旋电子学应用的稀磁半导体等基本器件，也是一个重要的研究领域。在此，我们开发了两种不同的技术，用于在 SiO2/Si 衬底上大面积生长 MoSe2 单层与多层。首先，我们在范德瓦耳斯 regime 下通过分子束外延在 SiO2/Si 上共沉积 Mo 和 Se 原子，获得了面积超过 1 cm2 的连续 MoSe2 单层。为生长 MoSe2 多层，我们随后采用范德瓦耳斯固相外延，其包括在共沉积的 MoSe2 单层上沉积非晶 Se/Mo 双层，该单层作为范德瓦耳斯生长模板。通过退火，我们获得了面积超过 1 cm2 的连续 MoSe2 多层。此外，通过在堆叠中插入一层薄 Mn，我们证明了在 MoSe2 双层中可掺入高达 10% 的 Mn。
引用
@article{arxiv.1906.03014,
title = {Van der Waals solid phase epitaxy to grow large-area manganese-doped MoSe$_2$ few-layers on SiO$_2$/Si},
author = {C. Vergnaud and M. Gay and C. Alvarez and M. -T. Dau and F. Pierre and D. Jalabert and C. Licitra and A. Marty and C. Beigné and B. Grévin and O. Renault and H. Okuno and M. Jamet},
journal= {arXiv preprint arXiv:1906.03014},
year = {2020}
}
备注
32 pages, 13 figures