观点：分子束外延生长二维范德华硫族化合物过程中结构缺陷的抑制
材料科学
2025-08-13 v1
摘要
通过分子束外延（MBE）生长晶圆级范德华（vdW）薄膜和异质结构，对于未来在量子技术、下一代光电器件和基础物理研究中的应用至关重要。当使用通常用于化合物半导体 MBE 的共沉积方法生长时，vdW 材料通常表现出高密度的结构缺陷，包括孪晶或反相畴、螺旋生长和金字塔状生长。这些缺陷是由相对较弱的薄膜/衬底相互作用和/或许多 vdW 材料对典型衬底的较差润湿性引起的。使用多步生长程序可以缓解这些困难，在该程序中，包括成核和聚结在内的生长阶段可以被严格控制，从而实现高质量的 vdW 薄膜沉积。本文将描述通过 MBE 生长高结晶度晶圆级 vdW 薄膜的通用方法。
引用
@article{arxiv.2508.08483,
title = {Perspective: Mitigation of structural defects during the growth of two-dimensional van der Waals chalcogenides by molecular beam epitaxy},
author = {Qihua Zhang and Maria Hilse and Stephanie Law},
journal= {arXiv preprint arXiv:2508.08483},
year = {2025}
}