分子束外延生长的 Bi2Se3 中自组装纳米柱
材料科学
2021-03-25 v1
摘要
通过物理气相沉积技术生长的层状范德瓦耳斯（vdW）材料通常被认为在生长过程中与衬底相互作用较弱。这导致薄膜具有相对较小的域，通常呈三角形并具阶梯状形貌。在本文中，我们证明典型 vdW 材料 Bi2Se3 在 GaAs(001) 衬底上生长时会形成纳米柱形貌。该形貌由相对较强的薄膜/衬底相互作用、较长的吸附原子扩散长度以及高活性硒通量所解释。这一发现为即使在无应变情况下生长自组装 vdW 结构铺平了道路。
引用
@article{arxiv.2103.13139,
title = {Self-assembled nano-columns in Bi2Se3 grown by molecular beam epitaxy},
author = {Theresa P. Ginley and Stephanie Law},
journal= {arXiv preprint arXiv:2103.13139},
year = {2021}
}