具有横向 P-N 结的大面积双层二硒化钨的可控生长
材料科学
2019-08-27 v1
摘要
双层二维 (2D) 范德华 (vdW) 材料因其预期的高品质电学和光学性质而受到越来越多的关注。在此，我们展示了通过化学气相沉积致密、选择性地生长 WSe2 双层薄片，使用摩尔比为 1:10 的胆酸钠和氯化钠混合物作为生长促进剂来控制含 W 物质的局部扩散。大部分双层 WSe2 薄片的两层之间显示出 0 和 60° 的扭转，同时也观察到了 15 和 30° 扭转角的莫尔条纹。在生长的双层 WSe2 薄片中形成了明确的单层-双层结，这些界面表现出 p-n 二极管整流和双极性输运特性。本工作为二维材料（特别是二维过渡金属硫族化合物）的层数可控生长提供了一种高效方法，并促进了它们在下一代电子和光电子器件中的应用。
引用
@article{arxiv.1908.09013,
title = {Controlled Growth of Large-Area Bilayer Tungsten Diselenides with Lateral P-N Junctions},
author = {Srinivas V. Mandyam and Meng Qiang Zhao and Paul Masih Das and Qicheng Zhang and Christopher C. Price and Zhaoli Gao and Vivek B. Shenoy and Marija Drndic and Alan T. Charlie Johnson},
journal= {arXiv preprint arXiv:1908.09013},
year = {2019}
}