单层上表面受限的二维晶体生长
介观与纳米尺度物理
2024-01-23 v1 材料科学
摘要
传统的二维(2D)材料与异质结构的气相沉积或外延生长是在大腔室中进行的，物质从源传输到衬底。本文报道一种无腔室、片上方法，用于在纳米尺度表面受限二维空间中直接生长二维晶体结构。该方法基于一个令人惊讶的发现：在远低于所有相关材料已知熔点的温度下，原子级薄钯(Pd)均匀层在二碲化钨(WTe2)单层晶体上发生快速、长距离、非菲克输运。由此产生的纳米受限生长实现了稳定新型二维晶体材料 Pd7WTe2 的可控形成，无论单层晶种是自由站立还是完全封装于范德瓦耳斯堆叠中。该方法是可推广的，且与纳米器件制备高度兼容，有望拓展二维材料及其功能库。
引用
@article{arxiv.2307.06477,
title = {Surface-Confined Two-Dimensional Crystal Growth on a Monolayer},
author = {Yanyu Jia and Fang Yuan and Guangming Cheng and Yue Tang and Guo Yu and Tiancheng Song and Pengjie Wang and Ratnadwip Singha and Ayelet July Uzan and Michael Onyszczak and Kenji Watanabe and Takashi Taniguchi and Nan Yao and Leslie M Schoop and Sanfeng Wu},
journal= {arXiv preprint arXiv:2307.06477},
year = {2024}
}