在 CVD 石墨烯阵列上确定性直接生长 WS2
材料科学
2019-11-06 v2
摘要
石墨烯的优异性质与单层二硫化钨（WS2）的性质相结合，使该异质堆叠在电子、光电子与自旋电子应用中极具价值。在如 SiO2 等具有技术吸引力的衬底上可扩展地合成石墨烯/WS2 异质结构，将极大促进新型二维（2D）器件的实现。本工作中，我们报道了在 SiO2 上的单晶石墨烯阵列上通过化学气相沉积（CVD）直接生长单层 WS2。值得注意的是，光谱与显微表征揭示 WS2 仅生长于石墨烯晶体之上，从而以自下而上的方式选择性获得垂直异质堆叠。光谱表征表明，WS2 合成后石墨烯承受压缩应变与空穴掺杂。定制实验显示，该空穴掺杂由 WS2 生长过程中石墨烯/SiO2 界面处 SiO2 化学计量比的改变所引起。电学输运测量揭示该异质结构在大正栅压下的行为类似电子阻挡层，这使其成为开发单极光电子器件的合适候选。
引用
@article{arxiv.1911.01101,
title = {Deterministic direct growth of WS2 on CVD graphene arrays},
author = {Giulia Piccinini and Stiven Forti and Leonardo Martini and Sergio Pezzini and Vaidotas Miseikis and Ulrich Starke and Filippo Fabbri and Camilla Coletti},
journal= {arXiv preprint arXiv:1911.01101},
year = {2019}
}
备注
30 pages, main text and supplementary information