MoS2在外延石墨烯上的旋转公度生长
材料科学
2016-04-05 v1
摘要
原子级薄的 MoS2/石墨烯异质结构是纳米电子和光电子技术的有前景候选者。在不同石墨烯衬底中，SiC上的外延石墨烯(EG)为此类异质结构提供了若干潜在优势，包括高电子质量、可调衬底耦合、晶圆级可加工性，以及能够模板化公度生长的晶体有序性。利用这些属性，我们在此展示了通过化学气相沉积在EG上实现厚度可控的范德瓦耳斯外延生长MoS2，从而产生具有组成材料间晶格登记的无转移二维异质结构合成。观察到的MoS2与EG之间的旋转公度性由它们各自晶格的能量有利对齐驱动，并导致近乎无应变的MoS2，这由同步辐射X射线散射和原子分辨率扫描隧道显微镜(STM)所证实。MoS2/EG异质结构的电子性质通过STM和扫描隧道谱阐明，揭示了偏压依赖的表观厚度、能带弯曲，以及单层MoS2边缘处约0.4 eV的带隙减小。
引用
@article{arxiv.1604.00677,
title = {Rotationally Commensurate Growth of MoS2 on Epitaxial Graphene},
author = {Xiaolong Liu and Itamar Balla and Hadallia Bergeron and Gavin P. Campbell and Michael J. Bedzyk and Mark C. Hersam},
journal= {arXiv preprint arXiv:1604.00677},
year = {2016}
}