大面积外延单层 MoS2
介观与纳米尺度物理
2014-05-02 v1 材料科学
摘要
二维半导体（如 MoS2）是一个新兴的材料家族，在电子学、光电子学和能量收集方面具有广泛的应用潜力。需要大面积生长方法来开启这些应用。虽然在此目标上已取得显著进展，但生长过程中的晶格取向控制仍然是一个挑战。这对于最小化甚至避免晶界的形成是必要的，因为晶界可能损害 MoS2 和其他二维半导体的电学、光学和机械性能。在此，我们报告了具有晶格取向控制的高质量厘米级连续单层 MoS2 的均匀生长。利用透射电子显微镜，我们表明该单层薄膜由聚结的单岛组成，由于外延生长机制，这些单岛共享主要的晶格取向。拉曼光谱和光致发光光谱证实了生长材料的高质量。在大面积上获取的光吸收光谱在光谱的高能部分显示出新特征，表明 MoS2 也可能对收集该区域的太阳光谱以及制造紫外敏感光电探测器感兴趣。尽管生长基底与 MoS2 之间的相互作用足以诱导晶格排列，但我们可以轻松转移生长材料并在 SiO2 基底上制造场效应晶体管，显示出优于剥离材料的迁移率。
引用
@article{arxiv.1405.0129,
title = {Large-area Epitaxial Monolayer MoS2},
author = {Dumitru Dumcenco and Dmitry Ovchinnikov and Kolyo Marinov and Oriol Lopez-Sanchez and Daria Krasnozhon and Ming-Wei Chen and Philippe Gillet and Anna Fontcuberta i Morral and Aleksandra Radenovic and Andras Kis},
journal= {arXiv preprint arXiv:1405.0129},
year = {2014}
}