二维拓扑绝缘体候选材料单层Si2Te2的外延生长
材料科学
2022-06-03 v1 应用物理
摘要
六方Si2Te2单层（ML-Si2Te2）被预测显示依赖于应变的半导体相与室温量子自旋霍尔相之间的能带交叉。然而，由于该人工二维（2D）材料无天然块体对应物，针对它的研究主要限于理论计算。本文中，我们报道了在Sb2Te3薄膜衬底上成功外延生长ML-Si2Te2薄膜。扫描隧道显微镜显示获得了覆盖率高达95%的高质量（1*1）ML-Si2Te2薄膜。X射线光电子能谱确认Si2Te2与Sb2Te3在界面处无混合。结合扫描隧道谱与密度泛函理论计算，我们证明了Sb2Te3上ML-Si2Te2的半导体能带结构。此外，理论预测通过应变工程减小4.4%应变可将体系驱动至非平庸相。我们的结果为深入探究该2D拓扑绝缘体候选材料铺平了道路。
引用
@article{arxiv.2206.00919,
title = {Epitaxial growth of a two-dimensional topological insulator candidate: monolayer Si2Te2},
author = {Xiaochun Huang and Rui Xiong and Klara Volckaert and Chunxue Hao and Deepnarayan Biswas and Marco Bianchi and Philip Hofmann and Philip Beck and Jonas Warmuth and Baisheng Sa and Jens Wiebe and Roland Wiesendanger},
journal= {arXiv preprint arXiv:2206.00919},
year = {2022}
}