掺杂拓扑绝缘体表面的莫尔表面态的制备与表征
材料科学
2025-09-04 v1
摘要
掺杂拓扑绝缘体表面上形成的莫尔超晶格被预测将 exhibits许多新特性，但尚未实现实验验证。本文开发了两种步骤的生长方法，成功制造了具有莫尔超晶格的拓扑绝缘体Sb2Te3薄膜，其由通过分子束蒸发法对最顶层进行扭转而生成。对所构建的莫尔拓扑表面态进行了扫描隧道显微镜和光谱表征。当施加磁场后，与Sb2Te3原表面相比，莫尔区域出现的洛伦兹水平新特征，使该体系成为追求下一代电子器件的理想平台。值得注意的是，本研究采用的生长方法规避了污染以及人工制作方法中产生的界面缺陷，可广泛应用于制造其他层状材料的莫尔超晶格。
引用
@article{arxiv.2509.03322,
title = {Fabrication and Characterization of the Moir\'e surface state on a topological insulator},
author = {Yi Zhang and Dang Liu and Qiaoyan Yu and Ruijun Xi and Xingsen Chen and Shasha Xue and Jice Sun and Xian Du and Xuhui Ning and Tingwen Miao and Pengyu Hu and Hao Yang and Dandan Guan and Xiaoxue Liu and Liang Liu and Yaoyi Li and Shiyong Wang and Canhua Liu and Haijiao Ji and Noah F. Q. Yuan and Hao Zheng and Jinfeng Jia},
journal= {arXiv preprint arXiv:2509.03322},
year = {2025}
}
备注
16 pages,4 figures,1 table