拓扑绝缘体中的莫尔表面态与增强超导性

近来，由于顶层之间的旋转失准，在拓扑绝缘体（TI）表面发现了莫尔超晶格。在本工作中，我们利用狄拉克电子在周期势中运动的连续模型研究莫尔超晶格对拓扑表面态的影响。与扭转双层石墨烯不同，莫尔表面态因其拓扑性质无法承载孤立能带。相反，我们在莫尔能带结构中发现了（高阶）范霍夫奇点（VHS），其导致态密度（DOS）发散并增强相互作用效应。由于莫尔表面态中的自旋-动量锁定，可能的相互作用通道受到限制。在声子介导吸引存在时，超导性被高阶 VHS 处幂律发散的 DOS 强烈增强。转变温度 $T_c$ 对推迟的电子-声子相互作用强度 $\lambda^*$ 表现出幂律依赖。我们发现该增强在高阶 VHS 的各种扰动下均具有鲁棒性。