拓扑绝缘体中莫尔表面态的感应塞曼效应
介观与纳米尺度物理
2025-07-08 v1
摘要
最近，由于最顶层旋转失配，在拓扑绝缘体表面发现了莫尔超晶格。在本工作中，我们研究了莫尔超晶格对拓扑表面态朗道能级的影响。我们发现，除了本征塞曼项之外，莫尔表面态中磁场的轨道效应还可以诱导出一个额外的塞曼项。因此，莫尔表面态原本与场无关的第零朗道能级可能会被面外磁场倾斜。
引用
@article{arxiv.2507.04844,
title = {Induced Zeeman effect of moir\'e surface states in topological insulators},
author = {Haijiao Ji and Noah F. Q. Yuan},
journal= {arXiv preprint arXiv:2507.04844},
year = {2025}
}
备注
4 pages + 1 page references, 2 figures,