铁掺杂对拓扑绝缘体表面的影响
介观与纳米尺度物理
2012-06-04 v2 量子物理
摘要
拓扑绝缘体体现了一种新发现的物质状态，其特征是跨越体带隙的、自旋-动量锁定的导电表面态。到目前为止，对拓扑绝缘体表面的研究大多局限于理解其在没有强库仑扰动或时间反演对称性破缺情况下的性质。我们使用沉积的铁（具有大的正电离态和显著的磁矩）作为强探针，在带隙能量尺度上修饰 Bi2Se3 表面的电子结构。我们观察到，这种扰动导致产生多个狄拉克费米子，这与 Z2 或 Mod(2) 对称性一致。综合来看，这些结果对于操纵拓扑表面以探索基础物理或开发器件应用是有用的指导。
引用
@article{arxiv.1009.6216,
title = {Effects of iron doping on the topological insulator surfaces},
author = {L. A. Wray and Y. Xia and S. -Y. Xu and Y. S. Hor and R. J. Cava and A. Bansil and H. Lin and M. Z. Hasan},
journal= {arXiv preprint arXiv:1009.6216},
year = {2012}
}
备注
4 Figures, 15 pages, For an expanded version of this paper see arXiv:1103.3411