基于拓扑绝缘体的 P-N 覆层界面的电子行为
材料科学
2012-06-07 v1
摘要
拓扑绝缘体是一种在其表面或与传统物质构成的界面上表现出自旋极化狄拉克态的新型材料。我们利用角分辨光电子能谱测量了体掺杂拓扑绝缘体 BiSe 的电子动力学，同时在拓扑绝缘体表面沉积阴极和阳极吸附原子，以添加与体掺杂剂电性相反的载流子。这些 P-N 覆层界面产生了狄拉克点输运机制和比以往 N-N 型表面沉积研究更大的界面势，揭示了非常规的类 Rashba 效应以及表面-体电子相互作用，并表现出拓扑绝缘体狄拉克点界面中狄拉克点附近光谱权重的异常特征分布。这些实验中观察到的 P-N 掺杂拓扑界面的电子结构，是理解拓扑材料固体界面的重要一步。
引用
@article{arxiv.1206.1087,
title = {Electron behavior in topological insulator based P-N overlayer interfaces},
author = {L. A. Wray and M. Neupane and S. -Y. Xu and Y. -Q. Xia and A. V. Fedorov and H. Lin and S. Basak and A. Bansil and Y. S. Hor and R. J. Cava and M. Z. Hasan},
journal= {arXiv preprint arXiv:1206.1087},
year = {2012}
}
备注
Submitted to Phys. Rev. B. 12 pages, including supplemental material. This is a substantially revised version of arXiv:1105.4794