拓扑绝缘体表面的驱动电子态
强关联电子
2013-10-30 v2
摘要
受近期拓扑绝缘体表面光发射实验的启发，我们计算了在外光源存在下受驱动的拓扑表面激发的能谱。我们完全表征了这些非平衡电子激发在入射光线偏振和圆偏振情况下的谱函数。我们发现，在后一种情况下，圆偏振光使表面态打开能隙，而线偏振光则产生具有多个狄拉克锥的各向异性金属。我们将能隙大小与近期的泵浦 - 探测光发射测量进行了比较，发现吻合良好。我们还在理论上识别了含时谱函数中的几个新特征，例如阴影狄拉克锥。
引用
@article{arxiv.1305.4145,
title = {Driven Electronic States at the Surface of a Topological Insulator},
author = {Benjamin M. Fregoso and Y. H. Wang and N. Gedik and Victor Galitski},
journal= {arXiv preprint arXiv:1305.4145},
year = {2013}
}
备注
6 pages, 3 figures, references updated, appendices added, typos corrected, published version