拓扑绝缘体 Bi$_2$Se$_3$ 中未占据 Dirac 表面态的直接光学耦合
材料科学
2013-11-19 v1
摘要
我们通过单光子和双光子角分辨光电子能谱以及平板能带结构计算，表征了拓扑绝缘体 BiSe 的占据和未占据电子结构。我们揭示了一个第二个未占据的 Dirac 表面态，其电子结构和物理起源与众所周知的拓扑表面态相似。该态在能量上位于导带上方 1.5 eV 处，这使得它能够被 Ti:Sapphire 激光器的输出直接激发。这一发现证明了直接超快光学耦合到拓扑保护、自旋织构表面态的可行性。
引用
@article{arxiv.1309.1405,
title = {Direct Optical Coupling to an Unoccupied Dirac Surface State in the Topological Insulator Bi$_2$Se$_3$},
author = {Jonathan A. Sobota and Shuolong Yang and Alexander F. Kemper and J. J. Lee and Felix T. Schmitt and Wei Li and Robert G. Moore and James G. Analytis and Ian R. Fisher and Patrick S. Kirchmann and Thomas P. Devereaux and Zhi-Xun Shen},
journal= {arXiv preprint arXiv:1309.1405},
year = {2013}
}
备注
Accepted to Physical Review Letters