铋硫族化合物上的未占据拓扑态
介观与纳米尺度物理
2012-11-07 v2
摘要
利用角分辨双光子光电子能谱和密度泛函理论，研究了拓扑绝缘体 BiTeSe () 能带结构的未占据部分。在所有表面上，均在表面布里渊区中心、费米能级上方约 1.3 eV 处发现了线性色散的表面态。理论分析表明，该特征出现在由自旋 - 轨道相互作用诱导并发生反转的局域能隙中。这种反转对 BiSe 和 BiTeSe 中电子和结构参数的变化不敏感。在 BiTe 中，微小的结构变化可能会改变局域能隙的性质，从而决定是否存在未占据的狄拉克态。圆二色性测量证实了预期的自旋织构。基于这些发现，我们将观测到的态归属于未占据的拓扑表面态。
引用
@article{arxiv.1210.3281,
title = {Unoccupied Topological States on Bismuth Chalcogenides},
author = {D. Niesner and Th. Fauster and S. V. Eremeev and T. V. Menshchikova and Y. M. Koroteev and A. P. Protogenov and E. V. Chulkov and O. E. Tereshchenko and K. A. Kokh and O. Alekperov and A. Nadjafov and N. Mamedov},
journal= {arXiv preprint arXiv:1210.3281},
year = {2012}
}