三元硫族化物TlBiSe2中狄拉克锥拓扑表面态的直接证据
介观与纳米尺度物理
2010-12-21 v2 强关联电子
摘要
我们对TlBiSe2进行了高分辨率角分辨光电子能谱测量，该材料是三元硫族化物家族的一员，理论上被提出作为一类新型三维拓扑绝缘体的候选材料。通过测量整个表面布里渊区的能带色散，我们发现了在体带隙内呈现X形能带色散的非平庸表面金属态的直接证据。本结果明确证实了TlBiSe2是一种在布里渊区中心具有单个狄拉克锥的强拓扑绝缘体。观察到的0.4 eV体带隙是已知拓扑绝缘体中最大的，这使得TlBiSe2成为研究室温拓扑现象最有前景的材料。
引用
@article{arxiv.1006.2437,
title = {Direct Evidence for the Dirac-Cone Topological Surface States in Ternary Chalcogenide TlBiSe2},
author = {Takafumi Sato and Kouji Segawa and Hua Guo and Katsuaki Sugawara and Seigo Souma and Takashi Takahashi and Yoichi Ando},
journal= {arXiv preprint arXiv:1006.2437},
year = {2010}
}
备注
4 pages, 4 figures