三元硫族化合物 Ge2Bi2Te5 的三维拓扑绝缘体特征
强关联电子
2026-01-19 v1 材料科学
摘要
在探索新奇量子态和器件应用的推动下，超越二元硫族化合物的拓扑绝缘体探索不断加速。在此，层状三元硫族化合物 Ge2Bi2Te5 被确定为三维拓扑绝缘体。Ge2Bi2Te5 的体态电子结构在费米能级 EF 处具有空穴型费米面，主导其输运性质。此外，观察到一个未占据的拓扑表面态，其狄拉克点位于 EF 上方 290 meV 处。理论计算证实了体态带隙和非平庸的 Z2 拓扑不变量 (000;1)。本研究表明，层状脆硫锑铅矿型三元化合物材料家族是探索新奇拓扑现象的重要平台。
引用
@article{arxiv.2601.11339,
title = {Three-dimensional topological insulator feature of ternary chalcogenide Ge2Bi2Te5},
author = {Shangjie Tian and Yuchong Zhang and Chenhao Liang and Yuqing Cao and Wenxin Lv and Xingyu Lv and Zhijun Wang and Tian Qian and Hechang Lei and Shouguo Wang},
journal= {arXiv preprint arXiv:2601.11339},
year = {2026}
}
备注
7 pages, 4 figures