Ta2NiSe5：一种具有多重能带反转的拓扑激子绝缘体候选材料
材料科学
2022-02-02 v1
摘要
基于密度泛函理论，研究了准一维激子绝缘体 Ta2NiSe5 的正交相和单斜相的电子结构与拓扑性质。与先前研究的许多拓扑绝缘体中跨越费米能级的单一宇称或能带反转不同，Ta2NiSe5 的两个相中均存在有或无自旋轨道耦合的多重宇称与能带反转，导致了更复杂且拓扑非平凡的 electronic structures。我们还获得了低温单斜相的狄拉克锥型表面态。在本文中，我们证明 Ta2NiSe5 是一种很有前景的三维拓扑激子绝缘体候选材料。
引用
@article{arxiv.2201.07750,
title = {Ta2NiSe5: a candidate topological excitonic insulator with multiple band inversions},
author = {Xiaobo Ma and Guangwei Wang and Huican Mao and Zhihong Yuan and Tianye Yu and Rui Liu and Yiran Peng and Pengyu Zheng and Zhiping Yin},
journal= {arXiv preprint arXiv:2201.07750},
year = {2022}
}
备注
28 pages, 11 figures