Ta2NiSe5的电子结构与共振非弹性X射线散射
强关联电子
2024-12-23 v2
摘要
我们利用Ta L3边的共振非弹性X射线散射（RIXS）研究了Ta2NiSe5低温半导体相的电子结构。我们还在密度泛函理论框架下，使用广义梯度近似和全相对论自旋极化Dirac线性缀加球轨道能带结构方法，研究了Ta2NiSe5的电子性质。虽然ARPES、直流输运和光学测量表明Ta2NiSe5是窄带隙半导体，但DFT给出Ta2NiSe5的非磁性金属解。为了获得Ta2NiSe5的半导体基态，我们通过引入轨道依赖势Vl到哈密顿量中，使用自相互作用修正（SIC）程序。我们理论研究了Ni和Ta L3边的X射线吸收光谱（XAS）和RIXS光谱，并将光谱用带间跃迁进行分析。我们研究了RIXS光谱作为动量转移矢量Q和入射光子能量的函数。由于Ta2NiSe5仅具有完全占据（Ni 3d和Se 4p）和完全空（Ta 5d）的壳层，且形式价态为Ta5+（5d0）、Ni0（3d10）和Se2-（4p6），Ni和Ta L3的RIXS光谱均属于配体到金属激发的电荷转移类型。
引用
@article{arxiv.2407.20626,
title = {Electronic structure and resonant inelastic x-ray scattering in Ta2NiSe5},
author = {D. A. Kukusta and L. V. Bekenov and A. N. Yaresko and K. Ishii and T. Takayama and H. Takagi and V. N. Antonov},
journal= {arXiv preprint arXiv:2407.20626},
year = {2024}
}
备注
11 pages, 15 figures