EuB6中自旋分裂的导带及外部刺激对半金属性的调控
强关联电子
2011-07-07 v1
摘要
我们报告了利用Eu L3边共振非弹性X射线散射（RIXS）对EuB6电子结构的研究。我们观察到，当系统冷却到铁磁有序温度以下时，约1.1 eV处的RIXS谱权重急剧增加，并遵循磁有序参量。该谱特征归因于从局域4f轨道到相邻位点自旋分裂5d轨道的位点间激发，说明了传导电子交换分裂的重要作用。基于我们的密度泛函理论计算，RIXS数据表明，低温下的EuB6可以用具有不完全自旋极化的半金属电子结构来一致地描述。我们提出了在EuB6中实现半金属性的途径，这些途径利用了电子结构对栅极电压、应变和磁场的强可调性。
引用
@article{arxiv.1107.1192,
title = {Spin-Split Conduction band in \eb\ and Tuning of Half-Metallicity with External Stimuli},
author = {Jungho Kim and Wei Ku and Chi-Cheng Lee and D. S. Ellis and B. K. Cho and A. H. Said and Yu. Shvyd'ko and Young-June Kim},
journal= {arXiv preprint arXiv:1107.1192},
year = {2011}
}
备注
5 pages, 4 figures