利用共振非弹性X射线散射探测倍半氧化镅的电子结构
强关联电子
2023-09-06 v1 材料科学
化学物理
摘要
在跨越Am 边的入射光子能量范围内测量了倍半氧化镅的Am -共振非弹性X射线散射(RIXS)数据。实验得到了若干模型计算方法的支持。将AmO的实验Am X射线吸收谱与基于原子多重态、晶体场多重态理论以及Am(III)体系的Anderson杂质模型(AIM)计算所得谱线进行比较,而所记录的Am - RIXS数据基本上可由晶体场多重态计算复现。实验散射几何与对RIXS过程中所探测电子态特征的理论分析相结合,证实AmO的基态为单重态。在能量损失约5.5 eV处的Am - RIXS谱中出现了低强度电荷转移卫星峰,表明存在微弱的Am -O 杂化,这与AIM根据AmO光谱数据估算的占据数为6.05个电子相一致。
引用
@article{arxiv.2309.02126,
title = {Electronic structure of americium sesquioxide probed by resonant inelastic x-ray scattering},
author = {Sergei M. Butorin and David K. Shuh},
journal= {arXiv preprint arXiv:2309.02126},
year = {2023}
}