高分辨率价带RIXS测量于铼M$_{4,5}$边
强关联电子
2025-10-28 v2
摘要
理解铼材料的电子结构对于基本研究和核应用至关重要。部分填满的5f壳表现出复杂行为，由于强相关性和配体杂化，需要先进的光谱技术。本文报告了在铼M边（3551和3725 eV）上开发和应用高分辨率价带共挥非弹性X射线光谱（VB-RIXS）实验的结果。我们展示了UO的数据，该材料是众所周知的模型铼化合物。VB-RIXS特别适合探测5f壳的电子结构，因为它探测的是在最终态中不会留下高能核心洞的激发。VB-RIXS中，我们实现了50 meV（M）和90 meV（M）的能量分辨率，使我们能够以前所未有的清晰度分辨多重态激发和晶体场效应，以及电荷转移和荧光-like特征。因此，高分辨率VB-RIXS提供了对低能近地面性质和高能杂化和共价效应的直接见解。我们的结果表明，VB-RIXS作为一种多功能且强大的工具，对于探索铼材料的强相关电子结构具有巨大潜力，为量化建模和理论概念的验证提供了必需的输入。
引用
@article{arxiv.2509.17840,
title = {High-resolution valence band RIXS at the actinide M$_{4,5}$-edges},
author = {Martin Sundermann and Henrik Hahn and Denise S. Christovam and Maurits W. Haverkort and Roberto Caciuffo and Bernhard Keimer and Liu Hao Tjeng and Andrea Severing and Hlynur Gretarsson},
journal= {arXiv preprint arXiv:2509.17840},
year = {2025}
}
备注
10 pages, 6 figures