激子绝缘体中的电声耦合模
强关联电子
2018-08-08 v1
摘要
Ta2NiSe5 被认为是一个有轻微声子贡献的激子绝缘体（EI）候选材料，因为它在 328 K 处表现出微小的正交到单斜结构畸变而无任何超晶格结构。我们的同步辐射非弹性 X 射线散射测量揭示，在高于转变温度的温度下发生了强烈的电子-光学声子耦合。密度泛函理论计算表明，两个耦合的光学模源于 Ta 和 Se 离子的振动。进一步，这两个模被冻结，使得 Ta 和 Se 相互靠近，在单斜相中形成原子位移型电偶极子。由电偶极子反铁磁排列形成电子环偶极矩的特征，是 Ta2NiSe5 与 1T-TiSe2 之间 EI 的普适性。
引用
@article{arxiv.1803.00274,
title = {Electron-Phonon Coupling Mode in Excitonic Insulator},
author = {Akitoshi Nakano and Takumi Hasegawa and Shinya Tamura and Naoyuki Katayama and Satoshi Tsutsui and Hiroshi Sawa},
journal= {arXiv preprint arXiv:1803.00274},
year = {2018}
}
备注
6 pages, 3 figures