原始及硫掺杂 Ta$_2$NiSe$_5$ 中的电子能带结构
材料科学
2022-09-14 v1
摘要
我们呈现激子绝缘体 TaNiSe 电子能带结构的角分辨光电子能谱研究，以及其在硫掺杂下的演化。我们的实验数据显示，尽管在 25 硫掺杂水平下激子绝缘相仍得以保持，但在液氮温度下存在大量（约 50）硫掺杂时该相被严重抑制。此外，我们的光子能量依赖测量揭示了 TaNiSe 与 TaNi(SeS)（）化合物中电子结构清晰的三维性。这表明电导率与热导率降低，可能使这些化合物较不适合于电子输运应用。
引用
@article{arxiv.2205.15883,
title = {Electronic band structure in pristine and Sulfur-doped Ta$_2$NiSe$_5$},
author = {Tanusree Saha and Luca Petaccia and Barbara Ressel and Primož Rebernik Ribič and Giovanni Di Santo and Wenjuan Zhao and Giovanni De Ninno},
journal= {arXiv preprint arXiv:2205.15883},
year = {2022}
}