铊基III-V-VI$_2$三元硫族化物中拓扑绝缘体的理论预测
材料科学
2015-05-18 v1 超导电性
摘要
我们预测了铊基III-V-VI三元硫族化物（包括TlBiQ和TlSbQ，其中Q = Te, Se和S）中的一类新型三维拓扑绝缘体。这些拓扑绝缘体具有鲁棒且简单的表面态，由点处的单个狄拉克锥构成。通过第一性原理计算和有效场论模型，阐明了拓扑绝缘行为的机制。值得注意的是，该类中的一种拓扑绝缘体TlBiTe在掺杂型载流子后也是一种超导体。我们讨论了该材料可能成为拓扑超导体的可能性。另一种材料TlSbS处于拓扑绝缘体与平庸绝缘体相的边界，在此处可以通过压力驱动拓扑相变。
引用
@article{arxiv.1003.0074,
title = {Theoretical Prediction of Topological Insulators in Thallium-based III-V-VI$_2$ Ternary Chalcogenides},
author = {Binghai Yan and Chao-Xing Liu and Hai-Jun Zhang and Chi-Yung Yam and Xiao-Liang Qi and Thomas Frauenheim and Shou-Cheng Zhang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1003.0074},
year = {2015}
}
备注
5 pages, 4 figures