四元硫族化合物与三元硫砷铜矿化合物中的拓扑绝缘体
介观与纳米尺度物理
2013-10-31 v1
摘要
我们通过第一性原理计算，预测了具有I-II-IV-VI组成的四元硫族化合物以及具有I-V-VI组成的三元硫砷铜矿化合物中存在若干三维拓扑绝缘体。在这两个庞大家族中，我们给出了以铜基硫族化合物为主的天然化合物实例。我们证明，这些材料是三维拓扑绝缘体的候选者，或者可以通过调控其他阳离子和阴离子元素的原子序数来实现拓扑相变。能带反转可以发生在单个点，且反转强度相当大，同时在整个布里渊区打开了体带隙。我们还证明，这两个家族通过底层四方结构中的阳离子交叉取代而相互关联，并且可以以期望的方式适当地调控它们的拓扑性质。
引用
@article{arxiv.1106.3316,
title = {Topological insulators in the quaternary chalcogenide compounds and ternary famatinite compounds},
author = {Y. J. Wang and H. Lin and Tanmoy Das and M. Z. Hasan and A. Bansil},
journal= {arXiv preprint arXiv:1106.3316},
year = {2013}
}
备注
7 pages, 4 figures