六角纤锌矿型二元化合物中的拓扑绝缘体
材料科学
2013-10-21 v1
摘要
基于第一性原理计算,我们提出了六角纤锌矿型二元化合物中的新型拓扑绝缘体。研究发现,AgI 和 AuI 两种化合物是三维拓扑绝缘体,其在费米能级处具有自然打开的带隙。从能带反转机制的角度来看,这一新家族的拓扑绝缘体与 HgTe 相似,具有 () - () 能带反转。我们的结果有力支持了自旋轨道耦合并非能带反转机制的必要因素;相反,它主要负责所研究拓扑绝缘体全局带隙的形成。我们进一步从理论上探索了利用两种类型的应变调控所研究化合物拓扑序的可行性。结果表明,单轴应变能对能带反转行为产生极其剧烈的影响,这为诱导拓扑相变提供了一种有效途径。
引用
@article{arxiv.1303.7040,
title = {Topological Insulators in Hexagonal Wurtzite-type Binary Compounds},
author = {X. M. Zhang and R S. Ma and X. C. Liu and E. K. Liu and G. D. Liu and Z. Y. Liu and W. H. Wang and G. H. Wu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1303.7040},
year = {2013}
}
备注
20 pages, 5 figures, submitted for publication