铋基方钴矿中的 d-p 能带反转拓扑绝缘体
材料科学
2014-01-03 v2
摘要
方钴矿是一类具有笼状晶体结构的材料，近年来受到了广泛的研究关注，是重费米子超导、激子介导超导态和韦尔费米子等多种异常现象的温床。在此，我们预测了一种存在于铋基方钴矿中的新型拓扑绝缘体，其中参与拓扑能带反转过程的能带为 d 轨道和 p 轨道，这与通常的拓扑绝缘体（例如 Bi2Se3 和 BiTeI 中仅涉及 p 轨道）截然不同。由于存在大 d 电子态，该拓扑绝缘体中的电子相互作用远强于其他常规拓扑绝缘体。通过结合能计算、声子模分析以及有限温度分子动力学模拟，验证了该新材料的稳定性。这种新材料可为器件提供近乎零电阻的信号电流，有望应用于自旋电子学器件。
引用
@article{arxiv.1310.7413,
title = {The d-p band-inversion topological insulator in bismuth-based skutterudites},
author = {Ming Yang and Wu-Ming Liu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1310.7413},
year = {2014}
}